+7 (843) 526-73-20

BIS-GLB-HMD111D Преобразователь измерительный BIS-GLB-HMD111D 2хAO (4...20 мА), HART


BIS-GLB-HMD111D Преобразователь измерительный BIS-GLB-HMD111D 2хAO (4...20 мА), HART
ВСА
Артикул: BIS-GLB-HMD111D

Описание товара:

Преобразователь измерительный BIS-GLB-HMD111D 2хAO (4...20 мА), HART
Характеристики:
Производитель
Артикул
BIS-GLB-HMD111D
Тип сигнала
AO
Количество каналов
2
Вид сигнала (опасная зона)
4...20 мА
Вид сигнала (безопасная зона)
4...20 мА

Загрузки

Имя файла Тип документа Версия Дата Ссылка
Барьеры искрозащиты, преобразователи и изоляторы. Серия H Каталог 1.0.0 01.2025
Библиотека макросов EPLAN Проектировщикам 1.0.0 03.2024
Конфигурационное программное обеспечение SmartMCT.v3.5 Конфигуратор v3.5
Руководство пользователя SmartMCT2 Руководство
Драйвер CP210x Windows Драйвер
Драйвер Windows PL23XX Prolific Driver Installer Драйвер v408

Описание товара

Преобразователи измерительные BIS (далее - преобразователи) предназначены для преобразований аналоговых сигналов, поступающих от различных первичных преобразователей (термосопротивлений и термопар), а также силы и напряжения постоянного и переменного электрического тока, электрического сопротивления и частоты на входе в унифицированные аналоговые сигналы или цифровые сигналы на выходе. Преобразователи обеспечивают гальваническое разделение входных и выходных цепей и цепей питания.

Характеристики

Прочие
Производитель ВСА
Артикул BIS-GLB-HMD111D
Коллекция Преобразователи BIS серии H
Тип сигнала AO
Количество каналов 2
Вид сигнала (опасная зона) 4...20 мА
Вид сигнала (безопасная зона) 4...20 мА
Тип источника питания DC
Uном питания DC 24
Поддержка HART Да
Нагрузка, Ом 800
Потребляемая мощность, Вт 2
Класс точности 0,1
Температура эксплуатации, град.С -20 … +60
Способ монтажа обединительная плата
Тип подключения винтовое
Вид питания От объединительной платы
Ширина (мм) 15,8
Высота (мм) 104,8
Глубина (мм) 121,6
Степень защиты (IP) IP20
Добавить отзыв
Ваша оценка:
Отправить отзыв
BIS-GLB-HMD111D Преобразователь измерительный BIS-GLB-HMD111D 2хAO (4...20 мА), HART